TXRF(全反射X-射線螢光分析)

總反射X-射線螢光分析法TXRF(全反射X-射線螢光分析)是X–射線利用極低角度照射拋光的樣品表面,X-射線的的入射角度(通常為0.05°)低於基板和樣品最外表面層的臨界角。總反射X-射線螢光分析法從表面原子會發射出元素特性的螢光光子。

TXRF是一種靈敏度高的表面分析技術,所以TXRF在分析半導體晶片表面之金屬汙染方面是最佳選擇。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  • 半導體晶片的金屬表面污染物

偵測訊號:來自晶片表面的螢光X-射線

偵測元素:S-U

偵測限制條件:109 - 1012 at/cm2

深度解析度:30-80A(分析深度)

影像/mapping:可選

橫向解析度/ 偵測尺寸:~10 mm

  • 痕量元素分析
  • 調查分析
  • 定量分析
  • 非破壞性分析
  • 自動化分析
  • 全晶圓分析(最大300mm)
  • 不能偵測低原子量的元素(Li, Na, Al)
  • 最佳偵測條件需要拋光表面
  • 半導體
  • 電信
  • 化合物半導體
  • 光電太陽能