TEM/STEM(穿透式電子顯微鏡/掃描穿透式電子顯微鏡)

透射電子顯微鏡方法和掃描透射電子顯微鏡方法TEM/STEM(穿透式電子顯微鏡/掃描穿透式電子顯微鏡)是密切相關的技術,主要是使用電子束讓樣品成像。使用高能量電子束,讓超薄樣品的圖像分辨率可以達到1-2Å的解析度。和SEM相比,TEM和STEM具有更好的空間解析度,並且能夠作額外的分析測量,但需要更多的樣品製備。

儘管與其他常用的分析工具相比,需要花費更多分析時間,但是通過TEM透射電子顯微鏡方法和掃描透射電子顯微鏡方法和STEM可以獲得更豐富的資訊。不僅可以獲得出色的圖像解析度,也可以得到晶體結構特性、結晶取向(通過繞射實驗)、產生元素圖(使用EDS或EELS),並且得到明顯的元素對比圖(暗場模式),這些方式都可在精確地定位到奈米等級的區域來進行分析。TEM和STEM是薄膜和積體電路樣品的故障分析工具。


點擊這裏瞭解更多有關EAG EMview軟體中SEM,FIB、TEM和STEM資料處理和顯示。

  • 鑑別積體電路中奈米等級的缺陷,包括在通孔底部嵌入的顆粒和殘留物。
  • 確定結晶相,作為界面距離函數
  • 奈米晶粒特性:核心/外殼調查、結塊和退火效應
  • 催化劑載體的覆蓋範圍
  • 超小面積元素地圖
  • III-V族超晶格特性
  • 晶體缺陷特性

偵測訊號:透射電子、散射電子、二次電子和X-射線

偵測元素:B-U(EDS)

偵測限制條件:0.1-1at%

影像/mapping:是(EDS,EELs)

終極橫向解析度:<0.2nm

  • 任何分析技術的終極元素映射解析度
  • ~0.2nm(2Å)的圖像解析度
  • 小面積樣品的晶體結構資訊
  • 重要的樣品製備時間
  • 樣品製備通常小於100nm
  • 某些材料對於電子束來說不穩定
  • 化合物半導體
  • 積體電路
  • 磁性介質
  • 奈米材料
  • MEMS(微機電系統)
  • 光電行業
  • 半導體
  • 金屬
  • 複合材料