SIMS(二次離子質譜)

次級離子質譜法分析SIMS(二次離子質譜)可以偵測濃度非常低的摻雜和雜質,也可以提供從幾Å到幾十µm範圍內的元素深度分布。樣品通過使用一次離子(通常是O或者Cs)來進行濺射/蝕刻,在濺射過程中形成的二次離子可以利用質譜儀(通常是四極矩或者磁性分析器)來進行提取和分析。二次離子的濃度範圍從基質到低於ppm等級。

次級離子質譜法分析EAG是商業化SIMS分析的行業標準,為準確的濃度和層結構鑑定提供最佳的偵測極限。EAG豐富的經驗以及投入在SIMS領域的研發都是無人能敵的。EAG具有世界上最多數量的SIMS儀器設備(超過40台),並由出色的科學家操作。EAG也具有世界最多的離子植入和塊材摻雜的標準品,可以進行準確的SIMS分析。

EAG的分析師善於了解客戶的需求,並設計相關的分析,有效地解決客戶關心的問題和維護他們的利益。EAG經常會使用SIMS來幫助各個行業的客戶進行研發、品質控制、故障分析、故障排除和過程監控,也會在整個過程中提供個人服務,以便於客戶對分析結果有全方面的理解。

EAG的SIMSview™: SIMS資料處理軟體



  • 摻雜和雜質深度分析
  • 薄膜的組成和雜質的測量(金屬、介電質、SiGe、III-V和II-V材料)
  • 淺植入和超薄膜的超高解析度深度分析(超低能量(ULE)植入和閘極氧化物)
  • 塊材分析,包括Si中的B, C, O和 N元素
  • 製程工具的高精確匹配,例如離子植入器

偵測訊號: 二次離子

偵測元素:H-U,包括同位素

偵測限制條件:>1010-1016at/cm3

深度解析度:>5Å

影像/mapping:

橫向解析度/偵測尺寸:>=10µm(深度分析);1µm(影像模式)

  • 對於摻雜和雜質可以達到ppm,甚至更低的偵測靈敏度
  • 對深度分析有著優異的偵測極限與深度解析度
  • 可作小區域分析(10µm 或者更大些)
  • 可偵測所有元素和同位素,包括氫元素
  • 優良的動態量測範圍(高達6個數量級)
  • 在某些應用中,有可能進行化學計量/組成分析
  • 破壞性分析
  • 沒有化學鍵結的資訊
  • 特定元素分析
  • 樣品必須是固體,並且可與真空相容
  • 半導體
  • 航太工業
  • 汽車
  • 化合物半導體
  • 資料存儲
  • 國防
  • 顯示器
  • 電子領域
  • 照明設備
  • 光子領域
  • 光電/太陽能
  • 電信