RBS(拉塞福背向散射)

盧瑟福反散射光譜分析法RBS(拉塞福背向散射)是一種用於薄膜成分分析的離子散射技術。RBS的獨特是在於不使用標準品就可以定量。RBS使用高能量(MeV)的氦離子He2+(即α粒子)直接射向樣品,在特定的角度測量背向散射He2+的能量分布和產率。由於每個元素的散射截面都是已知的,因此能夠從所獲得的RBS光譜得到定量的成分深度分布,對薄膜而言是小於1μm厚。

盧瑟福反散射光譜分析法EAG在使用RBS的Pelletron和Tandetron加速器來分析薄膜的領域上,具有世界一流的經驗。EAG擁有所有類型的半導體薄膜(包括氧化物、氮化物、矽化物、高K和低K介電質、金屬薄膜、化合物半導體和摻雜劑等等)的分析經驗,能夠達到快速的工作處理時間、精確數據以及高品質的個人服務。

 

 

 

 

 

 

  • 薄膜成分/厚度
  • 確定面積濃度(atoms/cm2)
  • 確定薄膜密度(已知厚度)

偵測訊號: 背向散射He原子

偵測元素:B-U

偵測限制條件:0.001-10at%

深度解析度:50-200Å

影像/mapping:

橫向解析度/ 偵測尺寸:大於等於2mm

  • 非破壞性成分分析
  • 不需使用標準品就可以定量
  • 全晶片分析(最高300mm)以及不規則和大尺寸的樣品
  • 導體和絕緣體皆可分析
  • 氫元素測定(HFS)
  • 低原子量元素的靈敏度(NRA)
  • 大面積分析(~2mm)
  • 只能得到樣品由表面往下最多~1μm深度的有用資訊
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