LEXES(低能量X-射線發射光譜)

低能X-射線發射光譜測定分析法LEXES(低能量X-射線發射光譜)是將低能量電子束用作為激發源的一種近表面分析技術。藉由低能量的電子束激發樣品原子,以偵測從樣品發射的特性X–射線。和EDS類似,LEXES可以分析發射X-射線的能量,得到樣品近表面區域的元素特性。使用波長色散光譜儀(WDS)可以增加靈敏度和提高能量分辨率,並且除去大部分干擾。

低能X-射線發射光譜測定分析法LEXES可以非常嚴格的控制電子束電流,允許非常高精度的測量。通過測量可以得到摻雜濃度、膜的組成與膜的厚度,並可以比較晶圓與晶圓之間的1%或更好的精確度差異,使用參考標準品可以得到小於5%的準確度差異。調整入射電子束的能量可以量測薄10Å或厚為1μm的樣品分析。最後,LEXES可以集中電子束到一個小面積區域小至10μm,進行分析。

主要應用

  • 摻雜劑劑量、薄膜組成、厚度和雜質的高精確度測定和全晶片映射
  • 工具或者製程匹配的高精度離子植入劑量測定
  • 測量晶片間的離子植入一致性
  • 確定薄膜成分
  • 測定晶片間的薄膜一致性
  • 測定薄膜的雜質含量

偵測訊號:特性X-射線

偵測元素:B-U

偵測限制條件:5e13 atoms/cm2, 0.01at%

深度解析度:N/A,沒有產生深度分析

影像/映射mapping:

最終橫向解析度:~10µm

  • 非破壞性分析
    • 全晶片分析(最高300mm)以及晶片和小尺寸樣品
    • 全晶片映射
  • 基本測量精準度差異<1%
  • 基本測量準確度差異<5%
  • 沒有樣品製備要求
  • 分析面積可以小到30µm
  • 最大分析深度為~1µm
  • 最大樣品厚度為~2mm
  • 絕緣樣品在分析上會有問題
  • 化合物半導體
  • 資料存儲
  • 國防
  • 顯示器
  • 電子領域
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  • 半導體
  • 光電行業
  • 電信