LA-ICP-MS(鐳射剝蝕-感應耦合電漿質譜)

鐳射剝蝕-電感耦合等離子體質譜法在LA-ICP-MS(鐳射剝蝕-感應耦合電漿質譜)中,樣品通過用脈衝雷射光束燒蝕後直接進行分析。產生的氣霧質被輸送到電感耦合氬電漿(ICP)的核心,產生約8000°C的溫度。ICP–MS中的電漿被用於產生離子,然後引入到質量分析器。根據荷質比,將離子分離收集,就可以測量並確定未知樣品的成分。ICP–MS對於元素具有極高的靈敏度。

對於雷射剝蝕法,任何類型的固體樣品都可以被燒蝕進行分析;沒有樣品的尺寸要求且無樣品製備程序。使用雷射剝蝕的化學分析所需的樣品量(μg)比溶液霧化(mg)還小。這種分析技術僅需非常少量的樣品量。此外,聚焦的雷射束對固體樣品中異質性的空間特性可以辨別分析,通常橫向和深度兩方面的解析度皆為μm。

對於利用GDMS、IGA、ICP-OES或LA-ICP-MS分析進行痕量元素分析來說:

EAG(紐約)--樣品送件表(英文,pdf)
EAG SAS(法國)--樣品送件表(英文,pdf)
EAG SAS(法國)--樣品送件表(法文,pdf)

  • 導體、半導體和非導體材料的主要、次級和痕量成分分析
  • 塑膠、製藥有機或者生物材料的污染物
  • 失效、污染物和夾雜物分析
  • 取證分析
  • 環境和礦物樣品分析
  • 元素分布分析

偵測訊號: 離子

偵測元素種類:最多70種元素

偵測限制條件:ppb

深度解析度:~1 µm

橫向解析度-光點直徑: 4 - 100μm

  • 對固體的元素組成,直接在表面和塊材取樣進行多元素的定量或半定量
  • 溶解時無化學反應
  • 分析物損失或者交叉污染的風險降低
  • 樣品幾何形狀獨立
  • 可以分析非常小的樣品
  • 測量元素組成的空間分布
  • 主要基質元素和其他的分子種類會干涉某些元素的測定,一些雙電荷或者分子離子種類會造成定量上的困難
  • 玻璃和陶瓷
  • 鑑識
  • 半導體生產製造
  • 地質
  • 故障分析