Ion Channeling(離子溝道)

Ion Channeling(離子溝道)是利用單晶的材料特性來進行薄膜分析的離子散射技術。當高能He2+ 離子束和單晶的晶軸達到適當地一致時,背向散射訊號就會急劇下降。

這種效應可以用於測定樣品的晶體質量與深度的相對關係。這些應用包括晶體質量在不同處理(離子植入、退火和晶體成長)後的分析,或者確定非晶層的厚度。

離子溝道 離子溝道

EAG常規分析的範圍是各式各樣的半導體材料,包括非常薄的膜,離子溝道是非常獨特的分析服務,EAG具有獨一無二的經驗,能夠實現快速的工作處理時間、準確數據以及個人服務。

  • 薄膜的晶體分析
  • 晶體損害/缺陷分析
  • 確定非晶化百分比
  • 確定非晶層的厚度

偵測訊號:背向散射He原子

偵測元素:B-U

偵測限制條件:IE20移位atoms/cm3

深度解析度:50-200Å

影像/mapping:

橫向解析度/偵測尺寸:大於等於1mm

  • 非破壞性深度分析
  • 不需要標準品,就可以定量非晶化和缺陷密度
  • 全晶片分析(150,200和300mm)以及不規則和大尺寸樣品
  • 導體和絕緣體皆可分析
  • 大面積分析(2mm)
  • 只能得到樣品由表面往下最多~1μm深度的有用資訊
  • 國防
  • 半導體
  • 電信