HFS(氫正向散射光譜)

HFS(氫正向散射光譜)氫前向散射光譜測定法是一種用於定量薄膜中氫濃度的離子散射分析技術。在分析過程中,He2+離子以掠射角角度撞擊樣品表面,將樣品的氫原子碰撞出後,以固態偵測器進行分析。

由於薄膜物理或者電氣屬性中氫元素的潛在影響,因此在薄膜中測定氫元素的組成和分布就變得很關鍵。其他的技術,例如AES、EDS以及XPS,都無法偵測氫元素;而SIMS可以測量氫元素,但要定量氫元素是非常困難。這使得HFS在薄膜分析中成為了一項非常獨特有用的技術。

很少有實驗室能像EAG這樣在提供HFS技術方面擁有深度和廣泛的經驗。EAG的經驗使其具有快速分析時間、準確數據以及個人的服務,確保客戶能夠理解所得到的分析結果。

氫前向散射光譜測定法

  • 薄膜氫元素分析

偵測訊號: 正向散射氫原子

偵測元素:1H, 2H

偵測限制條件:0.1at%

深度解析度:~300Å

影像/mapping:

橫向解析度/探測尺寸:>=1mm x 5mm

  • 非破壞性氫元素成分測定
  • 全晶片分析(最高到300mm)以及不規則大尺寸樣品
  • 導體和絕緣體分析
  • 需較大的分析面積(1mm x 5mm)
  • 有限的薄膜有用資訊 (<0.5μm)
  • 深度解析度為300Å
  • 航太工業
  • 國防
  • 顯示器
  • 半導體
  • 電信