FIB(聚焦離子束)

聚焦離子束成像分析FIB(聚焦離子束)儀器使用聚焦良好的離子束對感興趣的樣品作修改與取得圖像。FIB主要是在通過SEM、STEM和TEM成像後,取得非常精確的樣品橫截面或是執行電路修改。此外,FIB可以偵測來自離子束或電子束的發射電子,用於直接成像。FIB的對比度機制與SEM和S/TEM有所不同,因此在某些情況下就可以獲得獨特的結構資訊。Dual Beam是將FIB/SEM兩種技術結合成一個工具,利用FIB準備樣品並且使用SEM、TEM或STEM儀器得到電子影像, 而Single Beam的FIB是只有一個離子束源。

樣品製備

FIB是一種樣品製備工具,可以準確地製造出樣品的橫截面:

  • FIB為TEM樣品提供革命化的樣品製備方法,可以辨別~μm等級的特點以及精確地製作橫截面
  • FIB製備樣品被廣泛使用在SEM,其中FIB製樣,SEM成像和元素分析可以發生在同一個多技術的機台中
  • 在AES中也可以使用FIB製備樣品,能快速而精確地提供進表面的元素鑑別
  • 當樣品為小面積且難以獲取時FIB是理想工具,這種情況常出現在半導體行業以及需對表面下顆粒做鑑別
  • 對於很難獲得橫截面的產品來說,FIB是很好的選擇,例如很難拋光的軟性聚合物

聚焦離子束成像分析

EAG可以分析廣泛的材料,並且定期幫助公司解決FIB樣品製備和分析問題。沒有任何其他的實驗室可以與EAG的技術、經驗以及儀器設備媲美。而且,您可以獲得快速的處理時間、準確數據、個人服務,確保您理解所收到的資訊。

  • SEM、STEM和TEM樣品製備
  • 對於微小和難以獲取的樣品特性提供高解析度橫截面
  • 通過原位夾出得到微型取樣

偵測訊號: 電子、二次離子、X射線和光(陰極發光)

影像/mapping:

橫向解析度/偵測尺寸:7nm(離子束);20nm(電子束)

  • 對微小目標取得橫面的最佳方法
  • 可快速取得高解析度影像
  • 良好的晶粒造影
  • 支援許多其他工具的通用平台
  • 樣品通常需要真空相容性
  • 取得離子影像會破壞樣品表面,影響後續分析
  • 分析過後的表面會有殘留的Ga
  • 離子束損壞樣品表面會限制成像解析度
  • 橫截面面積小
  • 生物醫學/生物技術
  • 資料存儲
  • 光學領域
  • 半導體
  • 電信
  • 塗層
  • 冶金