EBSD(電子背向散射繞射)

電子反散射衍射分析EBSD(電子背向散射繞射)是針對分析樣品結晶性能特性的一種技術。通過這種技術,可以得到晶粒大小,晶粒取向,取向差,變形,結構和晶粒的長寬比等所有的特點。

EBSD是一個重要的分析技術可以結合XRD的卓越分析能力。儘管我們的XRD可以提供晶體結構,奈米晶粒尺寸,薄膜厚度和紋理的豐富資訊,然而通過EBSD的新功能將可以提供晶體樣品更完整的說明。

下面幾個例子的數據是由鋁薄膜樣品和冷加工(變形)不鏽鋼獲得的。

圖片1:鋁元素獨特微粒圖

圖片1:鋁元素獨特粒徑分布圖
(本圖片中的顏色只能用於顯示單個晶粒)

圖片2:顯示單個微粒取向的逆電極圖(紋理結構)圖片2:顯示單個微粒取向的逆電極圖(紋理結構)

圖片2:反極圖,顯示單個晶粒取向(紋理)

圖3:顯示樣本紋理結構/微粒調諧的交替表現電極圖。

圖3:極圖,另一種顯示樣品紋理/晶粒排列的表示

圖4:冷軋不銹鋼的逆電極圖。

圖4:冷加工不銹鋼的反極圖。

圖5:當地定向誤差測量的同樣位置的變形圖

圖5: 就地測量定向誤差,取得相同位置的變形圖

  • 退火過程的特性
  • 局部區域的紋理結構特性,例如靠近焊接點或者半導體接合焊盤
  • 當涉及鋼板和鋁的光潔度時,晶粒尺寸和紋理的特性
  • 較大晶粒的測定,沒有與LM相關聯的誤差
  • 特殊晶界的特性,例如共位晶界(CSL)和雙晶界
  • 測量晶粒的定向誤差
  • 通過測定晶體定向誤差和晶體長寬比得到變形的特徵
  • 磊晶薄膜的特性
  • 經由檢查橫截面,觀察深度結構的特性


偵測訊號: 繞射電子

偵測元素:所有的元素,假設他們存在於晶體基質

偵測限制條件:晶粒尺寸大於80nm

 定量分析:晶粒尺寸和相關測定:~10%

  • 直接測量粒度
  • 能夠表現單獨的晶界角度
  • 可以繪製某些材料的相分布圖
  • 可以繪製從10nm到100μm範圍的晶粒
  • 不能測定非晶材料
  • 區分不同相的能力中等
  • 航太工業
  • 汽車
  • 醫療植入物
  • 資料存儲
  • 顯示器
  • 電子領域
  • 亞鐵和非鐵金屬
  • 工業產品
  • 照明設備
  • 製藥
  • 光子學
  • 聚合物
  • 半導體
  • 光電太陽能