摻雜

摻雜是刻意添加元素至半導體材料中,主要是用於控制材料的電性。摻雜的濃度基本上是從at%到ppm之間。摻雜的濃度和分布是確定電性的關鍵。分析技術經常用於比較設備間的摻雜分布與電性表現。

摻雜劑

植入劑量

二次離子質譜(SIMS)和低能X-射線發射光譜(LEXES)可以準確地定量所植入劑量,能精確地比較晶片之間的劑量。LEXES也可用於跨晶圓植入劑量映射到300mm的尺寸(mapping)。

植入劑量

植入分布

SIMS可以用於特定離子植入和污染物的分布形狀。如果摻雜劑具有電性,也可以使用擴散電阻分析(SRP)方法。

ULE 分布

LEXES,SIMS和XPS可以用於定量高劑量淺植入的摻雜劑濃度。

SIMS可以精確地測量在矽、化合物半導體、光電和LED材料中摻雜劑的濃度與深度的關係圖。