AES(Auger電子能譜)

Auger電子光譜法分析 AES(Auger電子能譜)是一種利用高能量電子束作為激發源的高靈敏度表面分析技術。由電子束激發產生的能量,剛好能滿足原子外圍電子的束縛能,使電子恰能脫離,產生"Auger"電子。發射Auger電子所需的動能主要是由樣品表面5-10nm範圍內的元素所決定。

電子束可以掃描一個可變尺寸的區域,或是直接聚焦在感興趣的小面積區域。可將電子束聚焦在直徑為10-20nm區域的能力,使得Auger成為在分析小面積的樣品表面元素特性是非常有用的工具。與離子濺射源結合使用時,Auger就可以分析樣品表面組成的深度分布。

EAG在處理常規和特殊要求的Auger分析方面積累了多年的經驗,也已經將Auger應用到許多行業研究之中。

EAG豐富的Auger專業技術具有直接的分析效益,不論是在分析~μm粒子來確定晶片處理設備的污染源,還是分析電子設備的缺陷來調查故障的根本原因。此外,Auger在冶金研究方面也具有廣泛的應用,包括測量電解拋光醫療器械的氧化層厚度,EAG會繼續發揮其經驗優勢,為我們的客戶幫助解決各種問題。

  • 缺陷分析
  • 粒子分析
  • 表面分析
  • 小面積深度分析
  • 薄膜成分分析
偵測訊號: Auger電子,來自近表面的原子

探測元素: Li-U

偵測限制條件:0.1-1at% ~monolayer

深度解析度: 20-200Ǻ (分析模式)

影像/mapping:

橫向解析度/Probe Size:
>=0.2μm (LaB6源)
>=70Ǻ (場發射)
  • 小面積分析(最小~30nm)
  • 優秀表面偵測靈敏度(5-10nm深度資訊)
  • 良好的深度解析度
  • 最佳定量需要標準片
  • 分析絕緣體很困難
  • 樣品須能放入真空
  • 偵測靈敏度較差(最佳僅到0.1atom%)
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